| 型号：GSOT12-HT3-GS08 | 类别：TVS - 二极管 | 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division |
| 封装：3-WDFN | 描述：DIODE ESD 1LINE 12V LLP75-3B | |
详细参数
| 类别 | TVS - 二极管 |
|---|---|
| 描述 | DIODE ESD 1LINE 12V LLP75-3B |
| 系列 | - |
| 制造商 | Vishay Semiconductor Opto Division |
| 电压_反向关态111典型值222 | 12V |
| 电压_击穿 | 13.5V |
| 功率（W） | 312W |
| 极化 | 单向 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-WDFN |
| 供应商器件封装 | LLP75-3B |
| 包装 | Digi-Reel® |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 北京人上科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 深圳市潮南大宇电子有限公司 | 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
GSOT12-HT3-GS08相关型号
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP
- GRM43ER71H225MA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 50V 20% X7R 1812
- GSOT08C-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DIODE ESD 2LINE 8V SOT23
- G7L-2A-P-80-CB AC100/120
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
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- G3JA-C409B AC/DC24
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A
- GRM43ER72A225KA01K
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- GSOT12C-HT3-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
3-WDFN
DIODE ESD 2LINE 12V LLP75-3B
- IDT71V3577S85BQ
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
165-TBGA
IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA
- G7L-2A-P-IN-CB DC24
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 20A 24V
- G3JA-C409B AC100-240
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A
- GSOT12-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DIODE ESD 1LINE 12V SOT23
- GRM43ER72A225KA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- G7L-2A-PUB-CB DC12
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 20A 12V
- G3JA-C409B AC100-240
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STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A
- IDT71V3577S85PF
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
100-LQFP
IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP
- GRM43ER72A225KA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- GSOT12-HT3-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
3-WDFN
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- G3JA-C416B AC/DC24
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STARTR 3PHASE HYBRD 200-480V 16A
- GRM43ER72A225KA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- G3JA-C416B AC/DC24
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
STARTR 3PHASE HYBRD 200-480V 16A
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- GRM43ER72A225MA01L
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Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 20% X7R 1812
- GSOT24C-GS08
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Vishay Semiconductor Opto Division
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
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功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 48V
- IDT71V3577SA75BGG8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- IDT71V3577SA75BGGI
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- G7L-2A-TUB-J-CB-DC100
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 100V
- GSOT24C-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
- GRM43NR72A104KA01K
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
- IDT71V3577SA75BGGI8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- GSOT24-HT3-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
3-WDFN
DIODE ESD 1LINE 24V LLP75-3B
- GRM43NR72A104KA01K
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
- G7S-4A2B DC24
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-EMC Div
RELAY SAFETY 6PST 6A 24V
- IDT71V3577SA75BQGI
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
165-TBGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
- GRM43QR72E154KW01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 0.15UF 250V 10% X7R 1812
- GSP1.7500.1
电源输入 - 输入端，输出端，模块
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3-WDFN
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- G7SA-2A2B-DC24
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-EMC Div
RELAY SAFETY 4PST 6A 24V
